超平SiO 2基底由超平硅晶片上的200nm热生长非晶SiO 2膜组成。SiO 2是最具特色的材料之一,广泛用于半导体制造,薄膜研究和生长细胞的基质。它可以直接用作AFM和SEM成像的基底。超平的Thermal二氧化硅基底是6英寸晶圆,或是切割6英寸晶圆而来,切割后的尺寸分别有5x5mm,5x7mm和10x10mm芯片.6“晶圆采用6”晶圆托盘运输,切割后的二氧化硅片装在Gel-Pak盒中。本产品在10级洁净室条件下包装。
Thermal SiO 2基底的特性:
方向:<100>
等级:Prime / CZ Virgin
电阻:1-50 Ohm/cm
类型:P / Dopant:硼
晶圆厚度:655-695μm
TTV:<=7μm/ STIR:<=1.0μm
翘曲:<=40μm/弓:<=40μm
颗粒:< = 20 @ > =3.0μm
前表面:抛光
背面:蚀刻
平面:每SEMI标准1个(平面长度57.5 + / 12.5mm)
薄膜:200nm +/- 5%热氧化物(SiO 2),无定形
尺寸:6“(150mm)直径晶圆或5x5mm,5x7mm或10x10mm切割芯片
粗糙度:典型的2-3Å
产品编号 | 描述 | 单位 |
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21620-6 | 在6英寸晶圆盒上的ø6“超平晶片 | 块 |
21620-55 | 在Gel-Pak盒中的5x5mm切割超平晶片 | 25片/盒 |
21620-57 | 在Gel-Pak盒中的5x7mm切割超平晶片 | 18片/盒 |
21620-510 | 在Gel-Pak盒中的10x10mm切割超平晶片 | 6片/盒 |