PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上的均匀性都相当好，包括最具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的，完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™ R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
技术指标：
衬底尺寸和类型 | 50 – 200 mm /单片 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 3D 复杂表面衬底 粉末与颗粒 多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品 Roll-to-roll , 衬底最大宽 70 mm |
工艺温度 | 50 – 500 °C, 可选更高温度 |
基片传送选件 | 气动升降（手动装载） 预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ） 半自动装载，用PICOPLATFORM™200集群系统实现 |
前驱体 | 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（最多4路气体） 6根独立源管线，最多加载12个前驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线） |
重量 | 350kg+ 200 kg |
尺寸（ W x H x D)） | 取决于选件 最小146 cm x 146 cm x 84 cm 最大189 cm x 206 cm x 111 cm |
选件 | 集群工具，PICOFLOW™ 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高真空兼容，N2发生器，尾 气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载） |
验收标准 | 标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 |
应用领域：
客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm（6“和8”）晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
| 材料 | 非均匀性(1σ) |
| AI2O3 (batch) | 0.13 % |
| SiO2 (batch) | 0.77 % |
| TiO2 | 0.28 % |
| HfO2 | 0.47 % |
| ZnO | 0.94 % |
| Ta2O5 | 1.0 % |
| TiN | 1.10 % |
| CeO2 | 1.52 % |
| Pt | 3.41 % |
