超扁平SiNx基板由涂有 200nm 非晶非化学计量超低应力氮化硅的超平坦硅晶片组成,类似于我们的氮化硅载网。超平坦 SiNx 基板采用 6 英寸晶圆,可方便地切割成 5 x 5 毫米、5 x 7 毫米和 10 x 10 毫米芯片。6 英寸晶圆在 6 英寸晶圆盒中运输;切割后装在自吸附凝胶盒中运输。
晶圆经过隐形切割,这是一种特殊的清洁切割工艺,可生产无碎片的基板。所有产品均在 10 级洁净室条件下包装。
热 SiNx 基板的特性:
材质:CZ 原生硅
晶圆等级:Prime
直径:150毫米
方向:<100>
类型/掺杂剂:P/硼
电阻率:10-20欧姆-厘米
厚度:675 +/- 25μm
TTV:≤2μm
场地平整度:≤1μm
翘曲:≤30μm
弓形:≤20μm
前表面:抛光
背面:蚀刻
扁平:每个SEMI 标准 1 个
2000A +/- 100A SiNx
产品编号 | 描述 | 单位 |
21630-6 | 200nm SiNx 超平坦硅晶圆,位于 6" 晶圆盒中 | 每个 |
21630-55 | 超平硅片上的200nm SiNx,5 x 5mm 片装在 Gel-Pak ®盒 | 25片/盒 |
21630-57 | 超平硅片上的200nm SiNx,5 x 7mm 片装在 Gel-Pak ®盒 | 18片/盒 |
21630-510 | 超平硅片上的200nm SiNx,10 x 10mm 片装在 Gel-Pak ®盒 | 6片/盒 |