包括 1 微米、10 微米和 100 微米间距的网格
带有 1 微米间距网格的 Pelcotec™ G-1 标样,可在 100x 至 10,000x 放大倍率范围内进行校准或图像失真检查。 可用于 SEM、 Auger、Sims、FIB 和 LM(反射光)。 试样也可直接安装在 Pelcotec G-1 上,可以在图像中提供精确的校准,这在处理粉末时特别有用。 可用来替代已经停产SIRA 标样 (间距为 0.462 微米)。
Pelcotec G-1 具有以下规格:
总面积为 3x3mm,网格间距为 1µm
10 微米和 100 微米处的线条较粗,便于定位
包括 1 微米、10 微米和 100 微米间距
在超扁平硅材料上蚀刻出 300nm +/- 30nm 的深线
1 微米间距线宽为 200 纳米,10 微米间距线宽为 300 纳米,100 微米间距线宽为 400 纳米
精度为 1 微米 +/- 0.025 微米,垂直度优于 0.01°。
每个 Pelcotec G-1 标样上都刻有序列号
NIST 可追溯版本(通用证书)为 Pelcotec G-1T
单独认证版本为(单独认证) Pelcotec G-1C
硅芯片尺寸为 4x4mm,厚度为 525µm +/-20µm, <100> 方向
电阻率为 5-10 欧姆/厘米的掺硼硅晶片
可提供未安装或安装在 SEM 样品台上的标样
产品编号 | 说明 |
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633-1 | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书。 |
633-1A | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装A样品台上 |
633-1B | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装 B样品台上 |
633-1C | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装 C样品台上 |
633-1D | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装 D样品台上 |
633-1E | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装 E样品台上 |
633-1F | Pelcotec™ G-1T,1µm栅格标样,通用证书,安装 F样品台上 |
633-1G | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装G样品台上 |
633-1K | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装 K样品台上 |
633-1L | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装 L样品台上 |
633-1M | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装 M样品台上 |
633-1O | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装 O样品台上 |
633-1P | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装 P样品台上 |
633-1Q | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装 Q样品台上 |
633-1R | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装 R样品台上 |
633-1S | Pelcotec™ G-1T,1µm 栅格标样,通用证书,安装在 25x75 毫米载玻片上 |
产品编号 | 说明 |
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633-11 | Pelcotec™ G-1C,1µm 栅格标样,单独认证。 |